力合创投：瑞波光电实现国产905nm EEL芯片重大技术突破

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力合创投今日官微消息，力合创投在孵在投企业瑞波光电作为国内激光雷达发射芯片供应商，日前推出具备自主核心技术的新一代3J和4J的低温漂65W、135W、165W 905nm芯片系列，波长随温度变化系数小于0.09nm/K，部分型号达到0.06nm/K，在温度漂移特性已经接近甚至优于VCSEL，实现了国产905nm EEL芯片的重大技术突破，填补了国内空白，同时削弱了VCSEL的竞争优势。据悉，在过去的2022年，瑞波905nm EEL激光雷达发射芯片通过车规AEC-Q102里四项测试项目，包括HTOL、WHTOL、 PTC 和ESD-HBM。瑞波光电目前已经与国内多家头部激光雷达厂商展开深度合作，并实现批量的应用。

（文章来源：证券时报·e公司）

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